رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TSM210N06CZ C0G
Product Overview
المُصنّع:
Taiwan Semiconductor Corporation
رقم الجزء DiGi Electronics:
TSM210N06CZ C0G-DG
وصف:
MOSFET N-CHANNEL 60V 210A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 210A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
12894250
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TSM210N06CZ C0G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Taiwan Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
210A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7900 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
TSM210N06CZ C0G-DG
TSM210N06CZC0G
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFP220N06T3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
20
DiGi رقم الجزء
IXFP220N06T3-DG
سعر الوحدة
3.54
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TSM060N03PQ33 RGG
MOSFET N-CH 30V 62A 8PDFN
TSM4N70CP ROG
MOSFET N-CH 700V 3.5A TO252
DMN67D7L-13
MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3